AP2310N-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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描述
台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23;N—Channel沟道,60V;4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AP2310N-VB商品编号
C558077商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 1.09W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | 180pF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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