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AP2310N-VB

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23;N—Channel沟道,60V;4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    AP2310N-VB
  • 商品编号

    C558077
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.054克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-
功率(Pd)1.09W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)180pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)13pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

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