温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP6906GH-HF-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:25.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双通道N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统领域的模块中。TO252；2个N—Channel沟道,30V；32A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP6906GH-HF-VB
- 商品编号
- C558081
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V；81nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- DC/DC电源