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APM3048ADU4-VB

环保标识
  • 1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:35A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款N+P型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于多种电子应用。具有双通道设计,可在电路中提供灵活的功率控制。TO252-4;N+P—Channel沟道,±60V;35/-19A;RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~3V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    APM3048ADU4-VB
  • 商品编号

    C558091
  • 商品封装

    TO-252-4
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.46克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-
功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-55℃~+175℃

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