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PDPM6N20V3
P沟道MOSFET
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- 描述
- 增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PDPM6N20V3
- 商品编号
- C5162520
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G180P06K采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10 V时） -45A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10 V时） < 18 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器