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4012GD-GK
高性能互补型N沟道和P沟道快速开关MOSFET，具备高单元密度、低栅极电荷和出色的CdV/dt效应抑制能力
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- 描述
- 适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 4012GD-GK
- 商品编号
- C54563504
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A；25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W；25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC；9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF；633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF；58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF；108pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
4012GD是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4012GD符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% EAS保证
- 提供绿色器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应衰减
- 先进的高单元密度沟槽技术