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KCP2915B
N沟道MOSFET，130A，150V
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- 描述
- SGT MOSFET技术 先进沟槽MOS技术
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCP2915B
- 商品编号
- C5156071
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.75nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为4.5 V时，漏源导通电阻低（典型值16.4 mΩ）
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值14.6 mΩ）
- 低栅极电荷（典型值64 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器
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