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D2N50
耐压:500V 电流:2A
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- 描述
- D2N50是一款高压功率MOSFET，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- D2N50
- 商品编号
- C5155253
- 商品封装
- TO-252W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值9.2mΩ）
- 栅极电荷低（典型值64nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器