TK15A60D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.31 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）