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SWD062R68E7T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SWD062R68E7T

耐压:68V 电流:100A

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描述
该功率MOSFET采用先进技术制造,具有更好的特性,包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷,特别是出色的雪崩特性。
品牌名称
Samwin(芯派)
商品型号
SWD062R68E7T
商品编号
C5151849
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)152.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)102nC@10V
输入电容(Ciss)4.653nF@34V
反向传输电容(Crss)272pF@34V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款功率MOSFET采用先进技术生产。该技术使功率MOSFET具备更好的特性,包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷,尤其是出色的雪崩特性。

商品特性

  • 高耐用性
  • 栅源电压VGS = 10 V时,低漏源导通电阻RDS(ON)(典型值6.8mΩ)
  • 低栅极电荷(典型值78nC)
  • 改善的dv/dt能力
  • 100%雪崩测试

应用领域

-同步整流-锂电池保护板-逆变器

数据手册PDF