温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SWD056R68E7T
耐压:68V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这种功率MOSFET采用先进技术制造，该技术使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，特别是出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD056R68E7T
- 商品编号
- C5151847
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.178nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF@34V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 低RDS(ON)（典型值5.1 mΩ）@VGS = 4.5 V（典型值3.7 mΩ）@VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值59 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
- 同步整流
- 锂电池保护板
- 逆变器