- 引脚图
- 焊盘图
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BSC080N10(KTP)
N沟道MOSFET，具备低导通电阻SGT技术、低热阻、快速开关速度及100%雪崩测试
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- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC080N10(KTP)
- 商品编号
- C54430193
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）的SGT技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
应用领域
- DC/DC转换
- 电源开关
- 电机驱动
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