- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC070N10SD(KTP)
N沟道MOSFET，极低导通电阻，具备出色的Qg x Rds(on)乘积和低输入电容
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- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC070N10SD(KTP)
- 商品编号
- C54430196
- 商品封装
- PDFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 479pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 100V、50A
- RDS(ON)（典型值） = 6.9mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的Qg x RDS(on)乘积（品质因数）
- 出色的低输入电容Ciss
- 符合JEDEC标准
应用领域
- AC/DC快速充电器的同步整流
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
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