嘉立创上市
购物车0
BSC036N03TD(KTP)实物图
  • BSC036N03TD(KTP)商品缩略图
  • BSC036N03TD(KTP)商品缩略图
  • BSC036N03TD(KTP)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC036N03TD(KTP)

BSC036N03TD(KTP)

品牌名称
KTP(科泰普)
商品型号
BSC036N03TD(KTP)
商品编号
C54430197
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.17422克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))3.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40nC
输入电容(Ciss)2.135nF
反向传输电容(Crss)262pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)309pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这款N沟道MOSFET专为实现超低导通电阻(RDSON)而设计,同时保持卓越的开关性能,特别适用于高效电源管理应用。

商品特性

  • N沟道,针对高速平滑开关进行优化
  • 出色的栅极电荷×导通电阻(品质因数FOM)
  • 超低导通电阻
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电动工具
  • 负载开关

数据手册PDF