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D-2N7002-7-F
D-2N7002-7-F
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- D-2N7002-7-F
- 商品编号
- C5148556
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
HXY2101EI采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -1.8A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 150mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET