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DMC3025LSDQ-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A 4.2A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于直流电机控制和直流-交流逆变器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3025LSDQ-13
- 商品编号
- C5148568
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A；4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,7.4A；45mΩ@10V,5.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V；5.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 501pF@15V；590pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF；57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF；72pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) ≤ 3 Ω
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 3.2 Ω
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 关断状态下漏电流极低
- 具备2KV HBM静电保护
- 通过AEC-Q101认证