温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
INN100EBD018DAD-C
硅基增强型氮化镓功率晶体管，具有低栅极电荷、超低导通电阻和小尺寸特点，适用于高频DC - DC转换器等
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- INN100EBD018DAD-C
- 商品编号
- C54350158
- 商品封装
- LGA-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用尺寸为5.0mm×6.0mm的En - FCLGA封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。
商品特性
- 硅基氮化镓E模式HEMT技术
- 适用于工业应用
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 占用空间非常小
应用领域
- 高频DC - DC转换器
- 高密度DC/DC电源模块
- 同步整流
- 电机驱动器
- 太阳能系统最大功率点跟踪（MPPT）