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INN100EBD025DAD
氮化镓增强型功率晶体管，采用氮化镓-硅E模式HEMT技术，具有低栅极电荷、超低导通电阻、小封装尺寸和零反向恢复电荷等特点
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- 商品型号
- INN100EBD025DAD
- 商品编号
- C54350159
- 商品封装
- LGA-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.50625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 275A | |
| 耗散功率(Pd) | 378W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1394pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 566pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ |
商品概述
采用尺寸为5.0mm×6.0mm的En - FCLGA封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。
商品特性
- 硅基氮化镓E模式HEMT技术
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 非常小的封装尺寸
- 零反向恢复电荷
应用领域
- 高频DC - DC转换器
- 高密度DC/DC电源模块
- 同步整流
- 电机驱动器
- 太阳能系统最大功率点跟踪（MPPT）