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INN100EBD025DAD
氮化镓增强型功率晶体管，采用氮化镓-硅E模式HEMT技术，具有低栅极电荷、超低导通电阻、小封装尺寸和零反向恢复电荷等特点
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- 商品型号
- INN100EBD025DAD
- 商品编号
- C54350159
- 商品封装
- LGA-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.50625克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用尺寸为5.0mm×6.0mm的En - FCLGA封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。
商品特性
- 硅基氮化镓E模式HEMT技术
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 非常小的封装尺寸
- 零反向恢复电荷
应用领域
- 高频DC - DC转换器
- 高密度DC/DC电源模块
- 同步整流
- 电机驱动器
- 太阳能系统最大功率点跟踪（MPPT）