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BMP65N190UC1
BMP65N190UC1
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- 描述
- SJ MOSFET ，650V，190mΩ
- 商品型号
- BMP65N190UC1
- 商品编号
- C54333943
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 152W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
BMx65N190UC1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过优化的电荷耦合技术，它能提供更高的效率。这些用户友好的器件为设计师带来了低电磁干扰（EMI）的优势，同时具有低开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管。
- 由于极低的品质因数Rdson×Qg和Eoss，损耗极低。
- 极高的换向鲁棒性。
应用领域
- 电脑电源。
- 交流/直流电源。
- 电信/服务器。
- 太阳能逆变器。