- 引脚图
- 焊盘图
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BCZ120N80M2
BCZ120N80M2
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- 描述
- SiC MOSFET ，1200V，80mΩ
- 商品型号
- BCZ120N80M2
- 商品编号
- C54333944
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 807pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 52pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ |
商品特性
- 高开关速度，低栅极电荷
- 快速本征二极管，低反向恢复
- 强大的雪崩能力
- 100%雪崩测试
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电站
- 不间断电源
- 工业电源