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2301
耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 先进的沟槽工艺技术。应用：便携式DC/DC转换器的负载开关
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- 2301
- 商品编号
- C5143130
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
3N10-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 3N10-MS符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术