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E020N5P0ML1
N沟道MOSFET，采用低导通电阻沟槽技术，热阻低、开关速度快，100%雪崩测试
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- 描述
- 1个N沟道，20V，50A，5.0mΩ@10V
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E020N5P0ML1
- 商品编号
- C54308610
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 309pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）沟槽技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
应用领域
- DC/DC转换
- 电源开关
- PD充电器
- 电机驱动器