立创商城logo
购物车0
E030N3P5ML1实物图
  • E030N3P5ML1商品缩略图
  • E030N3P5ML1商品缩略图
  • E030N3P5ML1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

E030N3P5ML1

N沟道30V MOSFET,具备低导通电阻、低热阻、快速开关速度和100%雪崩测试特性,适用于DC/DC转换、PD充电器和电机驱动

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
1个N沟道,30V,87A,3.5mΩ@10V
品牌名称
Existar(毅芯达)
商品型号
E030N3P5ML1
商品编号
C54308611
商品封装
PDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)56nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.28nF
反向传输电容(Crss)302pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)344pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术
  • 低热阻
  • 快速开关速度
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • DC/DC转换
  • 电源开关
  • PD充电器
  • 电机驱动器

数据手册PDF