SI7115DN-T1-GE3(TOKMAS)
SI7115DN-T1-GE3(TOKMAS)
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(ID):-9A 内阻：220mΩ
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- SI7115DN-T1-GE3(TOKMAS)
- 商品编号
- C54308211
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7115DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-150V
- 漏极电流（ID，在VGS = -10V时）：-9A
- 导通电阻（RDS(ON)，在VGS = -10V时）：< 280mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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