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MP2451DT-LF-Z(TOKMAS)实物图
  • MP2451DT-LF-Z(TOKMAS)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MP2451DT-LF-Z(TOKMAS)

高频降压开关稳压器,集成内部高端高压功率MOSFET,适用于电池供电应用

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描述
功能类型:降压型 工作电压:4.2V~40V 输出电流:600mA
商品型号
MP2451DT-LF-Z(TOKMAS)
商品编号
C54308213
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压4.2V~40V
开关频率1.4MHz~2.2MHz
工作温度-40℃~+125℃
同步整流
属性参数值
输出通道数1
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)200uA
开关管(内置/外置)内置
输出类型可调
功能特性轻载高效模式;内置LDO稳压器;过流保护

商品概述

MP2451DT是一款高频(1.8MHz)降压开关稳压器,集成了内部高端高压功率MOSFET。它采用电流模式控制,可提供单路0.6A(或更低)的高效输出,实现快速环路响应。其宽输入范围(4.2V至40V)适用于移动环境输入条件下的各种降压应用。1μA的低关断模式静态电流适用于电池供电应用。在轻载条件下,通过降低开关频率以减少开关和栅极驱动损耗,可实现高效率。频率折叠技术有助于防止启动时电感电流失控。热关断功能可确保可靠、容错的运行。MP2451DT是一款1.8MHz非同步降压开关稳压器,集成了内部高端MOSFET,提供内部补偿的单路0.6A高效输出,具有宽输入电压范围、内部软启动控制和精确电流限制等特点。低工作静态电流特性适用于电池供电应用。在重载或中载条件下,MP2451DT以固定频率、峰值电流控制模式运行,以调节输出电压。PWM周期由内部时钟启动,功率MOSFET开启并保持导通,直到其电流达到由COMP电压设定的值。当功率开关关断时,在下一个周期开始前至少保持100ns的关断状态。在轻载情况下,电路进入脉冲跳跃模式以提高轻载效率。脉冲跳跃的判定基于其内部COMP电压。当COMP端子低于内部睡眠阈值时,会生成暂停命令,阻止时钟脉冲开启,从而使功率MOSFET无法按指令开启,节省驱动和开关损耗。暂停命令还会使整个芯片进入睡眠模式,消耗极低的静态电流,进一步提高轻载效率。误差放大器由一个内部运算放大器和一个连接在其输出(内部COMP节点)和负输入(FB)之间的阻容反馈网络组成。当FB低于其内部参考电压(REF)时,运算放大器会驱动COMP输出升高,从而产生更高的开关峰值电流输出,更多能量被传输到输出端,反之亦然。通常,FB连接到由RUP和RDN组成的分压器,其中RDN连接到FB和地,而RUP连接到电压输出节点和FB。RUP与内部补偿RC网络共同控制误差放大器的增益。大部分内部电路由2.6V内部稳压器供电。当VIN高于4.0V时,稳压器输出完全稳压;当VIN较低时,输出性能下降。该电路有一个专门的使能控制端子EN。当VIN足够高时,可通过EN端启用或禁用芯片,高电平有效,下限为1.6V,回落到0.6V。当暂停时,EN端子内部接地,芯片被禁用。当EN达到0V时,芯片进入最低关断电流模式。当EN高于零但低于其阈值时,芯片保持关断模式,但关断电流略有增加。VIN欠压锁定(UVLO)功能可保护芯片在电源电压不足时不工作。软启动用于防止转换器启动时输出电压过冲。芯片启动时,内部电路会生成一个从0V开始的软启动电压(SS),由软启动时间设定并缓慢上升。当SS低于内部参考REF时,SS起主导作用,误差放大器使用SS而非REF作为参考。当SS高于REF时,REF起主导作用。SS还与FB相关,SS可以远低于FB,但只能略高于FB。如果FB意外下降,SS也会跟踪下降,此功能旨在处理短路恢复。当短路消除时,SS斜坡上升,作为重新启动的软启动过程,防止输出电压过冲。热关断功能可防止芯片热失控。当温度高于上限阈值时,MP2451DT将关断;当温度低于下限阈值时,芯片再次启用。

商品特性

  • 输出0.6A峰值电流
  • 230μA工作静态电流
  • 4.2V至40V工作输入范围
  • 500mΩ内部功率MOSFET
  • 1.8MHz固定开关频率
  • 内部补偿
  • 使用陶瓷输出电容时稳定
  • 内部软启动
  • 无需电流检测电阻的精确电流限制
  • 效率>90%
  • 低关断模式电流:<1μA
  • SOT23-6封装

应用领域

  • 高压电源转换
  • 汽车系统
  • 工业电源系统
  • 分布式电源系统
  • 电池供电系统

数据手册PDF