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AP10TN135N
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- AP10TN135N是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AP10TN135N符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AP10TN135N
- 商品编号
- C5140037
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V；120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 765pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
SE0108采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
-提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源