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TPD4E001DBVR-MS
单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5A@8/20us
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- 描述
- 特性：150W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 SOT-23-6 封装。 固态硅雪崩技术。 低箝位电压。 低漏电流。 低电容 (Cj = 0.3pF 典型值，IO 到 IO)。应用：以太网。 数字视频接口 (DVI)
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- TPD4E001DBVR-MS
- 商品编号
- C5140053
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 16V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 6V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品特性
- 150W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）
- SOT-23-6封装
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 低电容（Cj=0.3pF 典型值，IO 至 IO）
- 为单条数据/电源线提供保护，符合以下标准：
- IEC 61000-4-2 ±12kV 接触放电，±15kV 空气放电
- IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5 (雷击) 5A (8/20μs)
应用领域
- 以太网
- 数字视频接口(DVI)
- USB 2.0
- 笔记本与个人电脑