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LDTC114EM3T5G

偏置电阻晶体管，NPN 硅表面贴装晶体管

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描述: 这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-723封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
品牌名称: LRC(乐山无线电)
商品型号: LDTC114EM3T5G
商品编号: C5137285
商品封装: SOT-723
包装方式: 编带
商品毛重: 0.011克(g)

商品参数

商品概述

这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SOT - 723封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

商品特性

简化电路设计
节省电路板空间
减少元件数量
SOT - 723封装可采用波峰焊或回流焊
这些是无铅器件
汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用采用S前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个NPN-预偏置
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	260mW

	属性	参数值
	直流电流增益(hFE)	35@5mA,10V
	输出电压(VO(on))	200mV
	输入电阻	13kΩ
	电阻比率	1
	工作温度	-55℃~+150℃