- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FMI16N60E-VB
N沟道；电压：650V；电流：18A；导通电阻：430(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FMI16N60E-VB
- 商品编号
- C54177041
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 降低反向恢复时间 trr、反向恢复电荷 Qrr 和反向恢复峰值电流 IRRM
- 低品质因数（FOM）导通电阻 R(on)×栅极电荷 Qg
- 低输入电容 C(iss)
- 由于降低了反向恢复电荷 Qrr，开关损耗低
- 超低栅极电荷 Qg
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 电信：服务器和电信电源、高强度放电（HID）、荧光镇流器照明
- 消费和计算：ATX 电源
- 工业：焊接、电池充电器
- 可再生能源：太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）