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BMT60N105E1
采用电荷耦合技术的低导通电阻和栅极电荷功率MOSFET，具备低EMI和低开关损耗特性
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- 描述
- SJ MOSFET 600V,105mΩ
- 商品型号
- BMT60N105E1
- 商品编号
- C54103743
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BMT60N105E1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好的器件不仅具有低开关损耗的优点，还为设计师带来了低电磁干扰（EMI）的优势。
商品特性
- 降低开关和传导损耗
- 更低的栅极电阻
- 经过100%雪崩测试
- 无铅、无卤，符合RoHS和MSL1标准
应用领域
- PFC、硬开关和软开关拓扑
- 工业和消费电源
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