温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMW65N046UE1
采用先进超结技术的功率MOSFET，低导通电阻和栅极电荷，高效率、低EMI和低开关损耗
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SJ MOSFET 600V,46mΩ
- 商品型号
- BMW65N046UE1
- 商品编号
- C54103744
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.946克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.233nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BMW65N046UE1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它能提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具有低开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管
- 由于极低的品质因数Rdson×Qg和Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
应用领域
- 个人电脑电源
- 服务器电源
- 电信
- 太阳能逆变器
- 汽车超级充电器