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BCBF65N95W1实物图
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BCBF65N95W1

碳化硅功率MOSFET,高阻断电压、低导通电阻、高速开关、易并联且驱动简单

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描述
SIC MOSFET 650V,95mΩ
商品型号
BCBF65N95W1
商品编号
C54103779
商品封装
TO-263-7L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)29A
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))3.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)33nC
输入电容(Ciss)765pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)49pF
导通电阻(RDS(on))95mΩ

商品特性

  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 低电容的高速开关
  • 易于并联且驱动简单
  • 雪崩耐用性
  • 无卤,符合RoHS标准

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源
  • 高压DC/DC转换器
  • 电池充电器
  • 电机驱动器
  • 脉冲功率应用

数据手册PDF