NCEP045N85GU

ESN7401是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN7401为无铅产品。

• 30V，在栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 13 mΩ（典型值）；在栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 17 mΩ（典型值）
• 快速开关
• 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
• 材料：无卤素
• 可靠耐用
• 雪崩额定
• 低泄漏电流

-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换