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NCE20P07N实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE20P07N

P沟道 20V 7A

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商品型号
NCE20P07N
商品编号
C5123678
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))27.8mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))650mV
栅极电荷量(Qg)12.8nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.134nF
反向传输电容(Crss)121pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)160pF
栅极电压(Vgs)±10V

商品概述

NCE20P07N采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用,具备ESD保护功能。

商品特性

  • VDS = -20 V,ID = -7 A
  • 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) < 45 mΩ
  • 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 35 mΩ
  • ESD额定值:2500V HBM
  • 高功率和电流处理能力
  • 表面贴装封装
  • 无铅端子电镀
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素

应用领域

-PWM应用-负载开关

数据手册PDF