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NCEP050N85G

NCEP050N85G

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商品型号
NCEP050N85G
商品编号
C5123677
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC
输入电容(Ciss)3.528nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)635pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和 QG 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 85V, ID = 100A
  • RDS(ON) = 4.6 m Ω,典型值,@ VGS = 10 V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度 150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了单脉冲雪崩测试!
  • 100% 进行了 \Delta Vds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF