S25FL064LABMFI003

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。支持更高的时钟频率和四线命令，指令读取的传输率能够等于或超过传统的并行接口、异步、NOR 闪存存储器的速率，同时可明显降低信号计数。为各种移动或嵌入式应用提供了容量大、灵活性高且速度快等性能，为空间，信号连接，功耗有限的系统提供了一个理想的存储解决方案，灵活性和性能比普通串行闪存器件好很多，理想用于将代码传送到RAM，直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

• 具有多个I/O 的串行外设接口（SPI）
  • 支持时钟极性以及相位模式0 和3
  • 具有双倍数据速率（DDR）选项
  • 具有四线外设接口（QPI）选项
  • 具有扩展地址：24 或32 位地址选项
  • 串行命令子集和封装与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S 以及S25FS-S SPI 系列的兼容
  • 多个I/O命令子集和封装与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S 以及S25FS-S SPI 系列的兼容
• 读取
  • 命令：普通、快速、双线I/O、四线I/O、双线输出、四线输出、DDR 四线I/O
  • 模式：回卷突发、持续突发（XIP）、QPI
  • 串行闪存可发现参数（SFDP）用于配置信息
• 编程结构
  • 256 字节的页编程缓冲区
  • 编程挂起和恢复
• 擦除结构
  • 4 KB 扇区擦除
  • 32 KB 半块擦除
  • 64 KB 扇区擦除
  • 芯片擦除
  • 擦除挂起和恢复
• 10 万次编程/ 擦除周期（最小值），最短数据保留时间为20 年
• 安全特性
  • 具有状态和配置寄存器保护
  • 主闪存阵列外有四个安全区域，每个安全区域大小为256 字节
  • 传统块保护：块范围
  • 单独和区域保护
    • 单独块锁定：易失性单独扇区/ 块
    • 指针区域：非易失性扇区/ 块范围
    • 安全区域2、3 以及指针区域的电源锁定、密码和永久保护
• 生产工艺：65 nm 浮栅技术
• 温度范围/ 级别
  • 工业级 (-40℃~+85℃)
  • 扩展的工业级（-40℃~+105℃）
  • 汽车级，AEC-Q100 等级3 （-40℃~+85℃）
  • 汽车级，AEC-Q100 等级2 （-40℃~+105℃）
  • 汽车级，AEC-Q100 等级1 （-40℃~+125℃）
• 封装类型（均无铅）
  • 8-SOIC 208 mil （SOC008）
  • 16 引脚SOIC 300 mil （SO3016）
  • USON 4×4 mm （UNF008）
  • WSON 5×6 mm （WND008）
  • BGA-24 6×8 mm
    • 5×5 ball （FAB024）封装
    • 4×6 ball （FAC024）封装
  • 已知的合格裸片和已知的测试裸片