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SGT50T65FD1P7
50A、650V绝缘栅双极型晶体管
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- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SGT50T65FD1P7
- 商品编号
- C5123272
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 235W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 200uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 100pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 42pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 125ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 33ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SGT50T65FD1PN/P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子最新的第四代场截止工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于电焊机、UPS、SMPS以及PFC等领域。
商品特性
- 50A, 650V, VCE(sat)(典型值)=2.0V @ IC=50A
- 低导通损耗
- 快开关速度
- 高输入阻抗