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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK969R0-60E,118

1个N沟道 耐压:60V 电流:75A

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描述
采用TrenchMOS技术、SOT404封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK969R0-60E,118
商品编号
C549989
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
2.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)137W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)29.8nC@5V
输入电容(Ciss)4.35nF@25V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

采用TrenchMOS技术、SOT404封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。

商品特性

  • 符合AEC Q101标准
  • 具备重复雪崩额定值
  • 最高结温达175°C,适用于对散热要求高的环境
  • 真正的逻辑电平栅极,在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V

应用领域

  • 12 V汽车系统
  • 电机、灯具和电磁阀控制
  • 启停微混合动力应用
  • 变速器控制
  • 超高性能电源开关

数据手册PDF