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TPM60V4NS6
耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM60V4NS6
- 商品编号
- C5122061
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
CS50N065 A4是采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。此器件适用于负载开关和PWM应用。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 60V/5A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) = 25mΩ(典型值)
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关-电源管理