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TPM9305PS3-3
耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM9305PS3-3
- 商品编号
- C5122064
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4410-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 15A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6.5mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 12mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源