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BUK7S0R7-40HJ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK7S0R7-40HJ

1个N沟道 耐压:40V 电流:425A

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描述
使用最新的沟槽 9 低欧姆超结技术的汽车级 N 沟道 MOSFET,采用铜夹 LFPAK88 封装。该产品经过全面设计和认证,满足并超越 AEC-Q101 要求,具有高性能和高可靠性。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK7S0R7-40HJ
商品编号
C549900
商品封装
SOT1235​
包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)425A
导通电阻(RDS(on))0.62mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)202nC@10V
输入电容(Ciss)15.719nF
反向传输电容(Crss)415pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用铜夹片LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证,满足并超越AEC - Q101要求,具备高性能和高可靠性。

商品特性

  • 完全符合并超越AEC - Q101汽车级标准
  • 工作温度范围为 - 55 °C至 + 175 °C,适用于对散热要求高的环境
  • LFPAK88封装:
    • 相比D2PAK等旧款引线键合封装,设计更节省空间,提高了功率密度,适用于当今空间受限的高功率汽车应用
    • 薄型封装和铜夹片使LFPAK88具备高效散热性能
  • LFPAK铜夹片技术相比引线键合封装的优势:
    • 提高最大电流承载能力,电流分布更均匀
    • 改善导通电阻RDS(on)
    • 低源极电感
    • 低热阻Rth
  • LFPAK鸥翼式引脚:
    • 引脚具有柔韧性,能吸收机械和热循环应力,提高电路板级可靠性,这与传统QFN封装不同
    • 可进行目视(AOI)焊接检查,无需昂贵的X射线设备
    • 易于焊接,形成良好的机械焊点
  • 独特的40 V Trench 9超结技术:
    • 减小单元间距和采用超结平台,在相同尺寸下降低导通电阻RDS(on)
    • 与标准TrenchMOS相比,改善了安全工作区(SOA)和雪崩能力
    • 精确的栅源阈值电压VGS(th)范围便于MOSFET并联

应用领域

  • 12 V汽车系统
  • 48 V DC/DC系统(12 V次级侧)
  • 高功率电机、灯具和电磁阀控制
  • 反极性保护
  • LED照明
  • 超高性能功率开关

数据手册PDF