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BUK7Y12-100EX实物图
  • BUK7Y12-100EX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK7Y12-100EX

1个N沟道 耐压:100V 电流:85A

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描述
标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56(Power SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK7Y12-100EX
商品编号
C549907
商品封装
SOT-669​
包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))8.1mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)238W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)68nC@10V
输入电容(Ciss)5.067nF@25V
反向传输电容(Crss)270pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

标准级别的N通道MOSFET,采用LFPAK56(Power SO8)封装和沟槽MOS技术。该产品按照AEC Q101标准设计并通过认证,适用于高性能汽车应用。

商品特性

  • 符合Q101标准
  • 具备重复雪崩耐量
  • 由于具有175°C的耐温等级,适用于热要求高的环境
  • 真正的标准电平门,在175°C时VGS(th)额定值大于1V

应用领域

  • 12V、24V 和 48V 汽车系统
  • 电机、灯和电磁阀控制
  • 变速箱控制
  • 超高性能电源切换

数据手册PDF