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BUK7S1R0-40HJ
1个N沟道 耐压:40V 电流:325A
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- 描述
- 采用最新沟槽 9 低欧姆超结技术的汽车级 N 沟道 MOSFET，封装于铜夹 LFPAK88 中。该产品经过全面设计和认证，满足并超越 AEC-Q101 要求，提供高性能和可靠性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7S1R0-40HJ
- 商品编号
- C549902
- 商品封装
- SOT1235
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 325A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.62mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 649pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹片LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，不仅满足AEC - Q101要求，还具备高性能和高可靠性。
商品特性
- 完全符合并超越AEC - Q101汽车级标准
- 工作温度范围为 - 55 °C至 + 175 °C,适用于对散热要求高的环境
- LFPAK88封装:
- 相比D2PAK等旧的引线键合封装,设计更节省空间,且提高了功率密度,适用于当今空间受限的高功率汽车应用
- 薄型封装和铜夹片使LFPAK88具备高效散热性能
- LFPAK铜夹片技术相比引线键合封装的优势:
- 提高最大电流承载能力,实现出色的电流分布
- 改善导通电阻RDS(on)
- 降低源极电感
- 降低热阻Rth
- LFPAK鸥翼引脚:
- 引脚具有柔韧性,能吸收机械和热循环应力,实现高板级可靠性,这与传统QFN封装不同
- 可进行目视(AOI)焊接检查,无需昂贵的X射线设备
- 易于焊料浸润,形成良好的机械焊点
- 独特的40 V Trench 9超结技术:
- 减小单元间距和采用超结平台,在相同尺寸下降低导通电阻RDS(on)
- 与标准TrenchMOS相比,改善了安全工作区(SOA)和雪崩能力
- 严格的栅源阈值电压VGS(th)范围便于MOSFET并联
应用领域
- 12 V汽车系统
- 48 V DC/DC系统(12 V次级侧)
- 高功率电机、灯具和电磁阀控制
- 反极性保护
- LED照明
- 超高性能功率开关