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MDT4N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备高耐用性雪崩特性。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT4N65
- 商品编号
- C5121600
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
MDT70N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 4 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 2.5 Ω
- 栅极电荷(典型值15 nC)
- 改善的dv/dt能力,高抗扰性
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温范围(150°C)
应用领域
- 高效开关模式电源
- 有源功率因数校正
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器