温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDT7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MDT7N65，这款功率MOSFET采用慧智（Wisdom）先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻，并具备高抗雪崩特性。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT7N65
- 商品编号
- C5121601
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
MPG80N06采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 8.0 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 高密度单元设计，降低导通电阻Rdson
- 对雪崩电压和电流进行了全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量耐量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源