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MDT7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- MDT7N65，这款功率MOSFET采用慧智（Wisdom）先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻，并具备高抗雪崩特性。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT7N65
- 商品编号
- C5121601
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
MPG80N06采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 7 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 1.2 Ω
- 栅极电荷(典型值28nC)
- 改善了dv/dt能力,具备高抗扰性
- 经过100%雪崩测试
- 最高结温范围(150°C)
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源