MP40N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
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- 描述
- MP40N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源(SMPS)、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP40N20
- 商品编号
- C5121604
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专有新型平面技术
- RDS(ON),典型值 = 50 mΩ(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- DC-DC转换器
- UPS用DC-AC逆变器
- 开关电源和电机控制
