- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SN2633S
N沟道SOT23封装MOSFET，具备低导通电阻、3.3V逻辑电平控制，无铅并符合RoHS标准，适用于低侧负载开关等电路
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- 品牌名称
- SPSEMI(瞬雷电子)
- 商品型号
- SN2633S
- 商品编号
- C53514161
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 341pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 在VGS = 4.5V时具有低导通电阻RDS(on)
- 3.3V逻辑电平控制
- N沟道SOT23封装
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 低端负载开关
- 开关电路
- 电池开关
- DC/DC转换器