- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3018T106-JSM
N沟道MOSFET，采用沟槽功率MOSFET技术，散热出色，低导通电阻
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2SK3018T106-JSM
- 商品编号
- C53513901
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用沟槽功率MOSFET技术，具有出色的散热封装，高密度单元设计实现低导通电阻（RDS(ON)），湿度敏感度等级为1级，环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级，无卤素。
商品特性
- VDS为30V
- D为0.1A
- RDs(ON)（在Vgs = 10V时）小于8Ω
- 经过100% EAS测试
- 经过100% VVDs测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器