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LTC4412ES6(TOKMAS)
单通道高速低侧HEMT GaN驱动器，具备负输入能力和集成LDO轨到轨驱动能力
- 描述
- 负载类型:MOSFET 驱动通道数:1 工作电压:5.2V-20V
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- LTC4412ES6(TOKMAS)
- 商品编号
- C53457894
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.078125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 5.2V~20V | |
| 上升时间(tr) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 5ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 104uA | |
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
LTC4412ES6是单通道高速低侧栅极驱动器，为氮化镓功率器件提供2A峰值源电流和2A灌电流，以及集成的6V低压差线性稳压器（LDO）轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出上升传播延迟为15ns，下降传播延迟为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。负输入可低至 -5V，以增强输入抗噪能力。IN+和IN-输入的灵活配置使LTC4412ES6既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它的工作温度范围为 -40°C 到150°C，采用TSOT23 - 6L封装。
该驱动器集成了一个6.2V的LDO，直接为氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极供电，简化了片外组件并最小化了印刷电路板（PCB）布局。6.2V轨到轨输出提高了LTC4412ES6输出级在开关负载快速转换期间的鲁棒性。
LTC4412ES6在4.5V至20V的电源电压范围内工作。建议将两个VDD旁路电容并联，以防止电源VDD出现噪声问题。必须在VDD引脚和GND引脚之间尽可能靠近地放置一个0.1μF的贴片陶瓷电容。为避免意外的VDD毛刺，必须将一个具有相对较低等效串联电阻（ESR）的大电容（例如1μF或10μF）与0.1μF电容并联。这种电容并联组合为应用中的预期电流水平和开关频率呈现出低阻抗特性。
LTC4412ES6实现了欠压锁定（UVLO）功能，上升阈值通常为5.2V，典型迟滞为400mV。VDD电压可低至5.2V，特别适合驱动宽带隙功率器件。当VDD上升但电平低于UVLO阈值时，无论输入状态如何，UVLO都会使输出保持低电平。迟滞可防止电源上的噪声影响导致输出抖动。在上电期间，驱动器输出保持低电平，直到VDD电压达到UVLO阈值。OUT信号的幅度随VDD上升，直到达到6V稳态。
为实现氮化镓HEMT的最小导通电阻（Rds(on)），氮化镓HEMT的栅极需要高达6V。因此，LTC4412ES6的推荐最小VDD为8V。请注意，VDD UVLO高电平与6V电源开始上升之间存在45μs的延迟。6V的特定上升时间由内部LDO源电流和6V与GND之间的旁路电容决定，在脉宽调制（PWM）第一个脉冲建立之前也需要进行计算。
LTC4412ES6的输入独立于VDD电源电压。典型阈值为3.1V（高）和1.15V（低），这使得该器件易于由5V数字功率控制器设备产生的PWM控制信号驱动。与典型阈值1.95V相比，该器件具有更宽的迟滞，提供了增强的抗噪能力。它还实现了对输入阈值电压的严格控制，确保在不同温度下稳定运行。输入引脚上的低输入电容提高了开关速度并减少了传播延迟。
商品特性
- 2A峰值源电流和2A峰值灌电流
- 固定输出电平，高至6V，低至地
- 5.2V - 20V宽电源电压范围
- 低至 -5V的负输入电压能力
- 快速传播延迟：15ns和13ns
- 快速上升和下降时间：9ns和5ns
- 欠压锁定保护
- 低静态电流：104μA
- 输入浮空时输出为低
应用领域
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）器件栅极驱动器
- 同相输入
- 反相输入