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CA-IS3221AW
双通道隔离型栅极驱动器，支持多种配置，高速切换，适用于大功率晶体管驱动
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- 品牌名称
- Chipanalog(川土微)
- 商品型号
- CA-IS3221AW
- 商品编号
- C53457967
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5700V | |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT、SiC、GaN | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 传播延迟 tpLH | 56ns | |
| 传播延迟 tpHL | 56ns | |
| 静态电流(Iq) | 2mA | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 8V~25V | |
| 功能特性 | 死区时间控制 |
商品概述
CA-IS322x系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供6A峰值灌电流、5A峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时（56ns，典型值）、超低脉宽失真等优势，使其成为MOSFET、IGBT、SiC等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。
所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。输入侧与驱动器输出侧通过二氧化硅（SiO₂）电容绝缘栅隔离，提供高达5.7kV RMS（宽体SOIC封装）的隔离耐压（UL1577认证），以及最小100V/ns的共模瞬态抗扰度（CMTI）。此外，内部电路在二次侧（输出侧）的驱动器A与驱动器B之间提供功能隔离，可承受1500V DC工作电压。
CA-IS322x系列栅极驱动器可以配置为双通道低边驱动、双通道高边驱动和半桥驱动，提供可编程死区时间。使能控制（CA-IS3222的EN引脚）和禁止控制（CA-IS3221的DIS引脚）允许将驱动器A和驱动器B的输出快速拉至低电平，关断外部功率晶体管。另外，当输入侧或输出侧电源未上电或开路、或低于UVLO门限时，或当器件处于禁用状态时，驱动器输出置于默认状态：低电平；当输入信号开路时，驱动器输出同样置于默认状态：低电平，关断外部功率管。
CA-IS322x输入侧电源VCC1可接受3V到18V供电范围，输出侧电源VDD-可接受高达25V的供电电压。提供16引脚或14引脚宽体SOIC封装。工作温度范围为 -40°C至+125°C。
商品特性
- 灵活支持多种配置：双通道低边驱动、双通道高边驱动、半桥驱动
- 支持6A峰值灌电流、5A峰值拉电流驱动
- 较宽的供电范围：输入侧VCC1可接受3V至18V供电电压范围，输出侧驱动电源VDD-可达25V
- 提供6V、8V和12V高精度UVLO可选
- 确保匹配的传输延迟：56ns（典型值）传输延迟，5ns（最大值）芯片间传输延迟偏差，7ns（最大值）脉宽失真，20ns（典型值）最小输入脉宽
- 可编程死区时间
- -40°C至+125°C工作温度范围
- 高度可靠的电气隔离：较长的绝缘栅寿命（>40年），5.7kV RMS（宽体封装）隔离耐压，较高的共模瞬态抗扰度（CMTI）（> ±100V/ns），可承受12.8kV浪涌
- 提供不同封装：宽体SOIC16（W）封装、宽体SOIC14（K）封装
- 安全认证：VDE增强隔离，根据DIN EN IEC 60747 - 17（VDE 0884 - 17）: 2021 - 10认证，根据UL 1577器件程序认证，根据TUV EN61010 - 1:2010 + A1认证，根据GB 4943.1 - 2022认证
应用领域
- 隔离型DC - DC、AC - DC转换器
- 电机控制
- LED照明
- 不间断电源（UPS）
- 逆变器
- HEV/EV电池充电器