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XR80N04F
N沟道快速开关MOSFET，具备低栅极电荷和先进的高单元密度沟槽技术，符合RoHS和绿色产品要求
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR80N04F
- 商品编号
- C53454416
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16784克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.042nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 232pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 386pF |
商品概述
XR80N04F是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR80N04F符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术